在其原子组装生长过程中，书到少拓扑缺陷、带隙和原子组装速率之间存在着密切关系。

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在固定的-10mAcm-2geom电流密度或100000个连续循环伏安循环下，用时样连续电解10天后，观察到低于30mV的过电位衰减。作为应变传感器，书到少MXene/聚氨酯纱线表现出宽的传感范围、高灵敏度和低漂移。这种优异的低温性能表明，用时样MXene在低温赝电容储能应用中具有极大潜力。

即使在超过12mgcm-2(48μm厚)的较高质量负载下，书到少倍率能力仍可与低质量负载(1mgcm-2)的未优化Ti3C2Tx电极相比。用时样图12面向射频应用的MXene贴片天线。

Mo2CTx/2H-MoS2纳米混合界面处的紧密外延耦合，书到少提供了优异的HER活性，仅需要119或182mV的过电位就可分别产生-10或-100mAcm-2geom的电流密度。

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